来源：欧宝娱乐官网版app 发布时间：2023-10-10 15:59:44
可衔接最高1200V的电压轨，而STGAP2GSN 窄版可衔接高达 1700V的电压轨，栅极驱动电压最高15V。该驱动器可以向所衔接的 GaN 晶体管栅极灌入和源出最高3A的电流，即便在高作业频率下也能精准操控功率晶体管的开关操作。
STGAP2GS 跨过阻隔势垒的传达延时极短，只要 45ns，动态呼应快速。此外，在整个作业时分的温度范围内，dV/dt 瞬变电压耐量为 ±100V/ns，可防止晶体管栅极电流产生不必要的改变。STGAP2GS 具有独立的灌电流和源电流引脚，可轻松调整栅极驱动操作办法和功用。
STGAP2GS 驱动器无需运用光学阻隔分立元件，便利消费电子工业操控产品设备是选用高效、稳健的 GaN 技能。方针运用包含计算机服务器电源、工厂自动化设备电机驱动器、太阳能发电、风力发电体系、家用电器、家用电风扇和无线充电器。
除了集成电流阻隔功用外，新驱动器还具有内置体系维护功用，包含针对 GaN 技能优化的热关断和欠压确定 (UVLO)，保证驱动器的可靠性和耐变性。
低导通电阻RDS(ON) 的VIPower™MOSFET功率管，在8V到48V的宽输入电压范围内，可以保持高达4A的接连
模型的验证，人们现在可接受将根据规范的测验用于硅资料的做法，不过也有破例的状况。功率金属氧化物
体系规划包含运用容错规划办法和挑选比较合适的组件，以满意预期环境条件并符合规定规范要求。本文专门讨论完成高
要求，产品规划人需求考虑危险评价、毛病防备和容错规划等办法。这些办法有助于进步产品的
，新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸，降低了物料清单本钱，可以很好的满意运用对宽禁带芯片的能效以及
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